万生优配存储将迎“超级周期”？多国芯片巨头上调产品报价这一分支或面临长期短缺

K图 BK1137_0

　　近期以来，多国芯片巨头上调产品报价。据央视财经报道，过去半年，全球存储芯片价格持续上涨。特别是最近一个月，涨价消息越发密集。

　　据《科创板日报》不完全统计：

　　9月下旬，三星电子发出第四季度提价通知，计划将部分DRAM价格上调15%至30%，NAND闪存价格上调5%至10%。

　　NAND闪存控制芯片大厂群联日前恢复报价万生优配，价格涨幅约10%。

　　9月16日，西部数据通知客户将逐步提高所有HDD（机械硬盘）产品的价格。

　　9月上旬，闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的NAND产品价格上调10%以上。

　　涉及涨价的存储芯片种类大致涵盖DRAM与NAND两种类型：前者是一种易失性半导体存储器，读取速度相对快但断电后数据瞬间消失，无法长期保存，近期受市场追捧的HBM也属于这一类型；后者属于非易失性存储，断电后数据仍能稳定留存，往往负责存放海量数据和模型参数，SSD、HDD等属于此列。

　　根据摩根士丹利的最新研报预测，人工智能热潮下，存储芯片行业预计迎来一个“超级周期”。就在日前（10月1日），OpenAI与三星电子、SK海力士宣布达成初步供货协议，两家韩国公司将为“星际之门”（Stargate）项目供应存储芯片。韩国总统办公室表示，OpenAI计划在2029年订购90万片存储芯片晶圆。

　　SK海力士在公告中称万生优配，这一需求预测是目前全球高带宽存储芯片（HBM）产能的两倍多，凸显了“星际之门”项目规模之大以及全球人工智能发展之快。

　　进一步细分来看，在DRAM、HBM普遍昂贵且供给紧张的背景下，NAND有望成为AI时代新一轮主流存储选择。

　　据悉，三星电子已着手开展HBF高带宽闪存产品的概念设计等前期开发工作。所谓HBF，是一种类似HBM的专为AI领域设计的新型存储器架构，区别在于HBF使用NAND闪存代替DRAM。被称作“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）教授金正浩指出，当前的人工智能瓶颈在于内存带宽和容量，速度较慢但容量更高的NAND闪存可以作为补充。

　　摩根士丹利预计，到2026年NAND闪存将出现高达8%的供应缺口。

　　此外，群联电子董事长潘健成近日接受采访时表示，SSD将成为大容量存储的主流选择，但目前与HDD对比，两者占比为2：8，由于SSD新增容量不足，预期2026年起NAND闪存将严重短缺，且未来十年供应都将紧张。

　　与此同时，NAND Flash价格涨幅已反超DRAM。据CFM闪存市场报价，2025年第三季度，NAND Flash市场综合价格指数上涨5%，DRAM市场综合价格指数上涨19.2%。9月单月来看，NAND Flash市场综合价格指数上涨4.7%，DRAM市场综合价格指数上涨2.6%。

　　展望后续，TrendForce预计25Q4 NAND Flash价格将上涨5-10%。中信证券认为，后续数据中心eSSD涨价幅度有望超市场预期，2026年大容量QLC SSD有望出现爆发性增长。